多项选择题

Poly-Si gate的刻蚀应采用什么特性和什么方法的刻蚀？（）

A.湿法刻蚀
B.干法刻蚀
C.各向同性刻蚀
D.各向异性刻蚀

<上一题 目录 下一题>
热门 试题

多项选择题
在STI工艺中，缓冲氧化层和氮化硅采用工艺技术正确的是（）。

A.氮化硅用常压CVD工艺
B.氧化层用CVD工艺
C.氮化硅用低压CVD工艺
D.氧化层用热氧化工艺
多项选择题
1990’s CMOS IC 工艺技术特征是（）。

A.浅槽隔离工艺
B.铝栅工艺
C.多晶硅栅工艺
D.硅外延片衬底
相关试题