多项选择题

在STI工艺中，缓冲氧化层和氮化硅采用工艺技术正确的是（）。

A.氮化硅用常压CVD工艺
B.氧化层用CVD工艺
C.氮化硅用低压CVD工艺
D.氧化层用热氧化工艺

<上一题目录下一题>

热门试题

多项选择题

1990’s CMOS IC 工艺技术特征是（）。

A.浅槽隔离工艺
B.铝栅工艺
C.多晶硅栅工艺
D.硅外延片衬底

多项选择题

‌Stepper的优点有（）。

A.光刻版的精度和良率高
B.可分步重复曝光
C.减小了尘埃的影响
D.套刻精度高

相关试题