计算题 室温（300K）下，半导体锗（Ge）的本征电阻率为47Ωcm，已知其电子迁移率μ_n和空穴迁移率μ_p分别为3600cm²/Vs和1700cm²/Vs，试求半导体锗的本征载流子浓度n_i。若掺入百万分之一的磷（P）后，计算室温下电子浓度n₀和空穴浓度p₀和电阻率ρ。（假定迁移率不随掺杂而变化，杂质全部电离并忽略少子的贡献，锗的原子密度为4.4*10²²/cm³）

某掺施主杂质的非简并Si样品，试求EF=（EC+ED） 2时施主的浓度。由于半导体是非简并半导体，所以有电中性条件 点击查看答案

现有一掺杂半导体硅材料，已测得室温（300K）下的平衡空穴浓度为p0=2.25*1016 cm3， 已知室温下纯净单晶硅的禁带宽度Eg=1.12eV， 本征载流子浓度ni=1.5*1010 cm3，室温的kT 值为0.026eV。 1）计算该材料的平衡电子浓度n0； 2）判别该材料的导电类型； 3）计算该材料的费米能级位置EF。 点击查看答案