计算题 试求本征硅在室温（300K）时的电导率σ_i。设电子迁移率μ_n和空穴迁移率μ_p分别为1350cm²/Vs和500cm²/Vs，本征载流子浓度n_i=1.5*10¹⁰/cm³。当掺入百万分之一的砷（As）后，电子迁移率降低为850cm²/Vs，设杂质全部电离，忽略少子的贡献，计算其电导率σ，并与本征电导率σ_i作比较。（硅的原子密度为5*10²²/cm³

室温（300K）下，半导体锗（Ge）的本征电阻率为47Ωcm，已知其电子迁移率μn和空穴迁移率μp分别为3600cm2 Vs和1700cm2 Vs，试求半导体锗的本征载流子浓度ni。若掺入百万分之一的磷（P）后，计算室温下电子浓度n0和空穴浓度p0和电阻率ρ。（假定迁移率不随掺杂而变化，杂质全部电离并忽略少子的贡献，锗的原子密度为4.4*1022 cm3） 点击查看答案

某掺施主杂质的非简并Si样品，试求EF=（EC+ED） 2时施主的浓度。由于半导体是非简并半导体，所以有电中性条件 点击查看答案