计算题 假设Si中空穴浓度是线性分布，在4µm内的浓度差为2×10¹⁶cm^-3，试计算空穴的扩散电流密度。

试求本征硅在室温（300K）时的电导率σi。设电子迁移率μn和空穴迁移率μp分别为1350cm2 Vs和500cm2 Vs，本征载流子浓度ni=1.5*1010 cm3。当掺入百万分之一的砷（As）后，电子迁移率降低为850cm2 Vs，设杂质全部电离，忽略少子的贡献，计算其电导率σ，并与本征电导率σi作比较。（硅的原子密度为5*1022 cm3 点击查看答案

室温（300K）下，半导体锗（Ge）的本征电阻率为47Ωcm，已知其电子迁移率μn和空穴迁移率μp分别为3600cm2 Vs和1700cm2 Vs，试求半导体锗的本征载流子浓度ni。若掺入百万分之一的磷（P）后，计算室温下电子浓度n0和空穴浓度p0和电阻率ρ。（假定迁移率不随掺杂而变化，杂质全部电离并忽略少子的贡献，锗的原子密度为4.4*1022 cm3） 点击查看答案