计算题 某掺施主杂质的非简并Si样品，试求E_F=（E_C+E_D）/2时施主的浓度。由于半导体是非简并半导体，所以有电中性条件

现有一掺杂半导体硅材料，已测得室温（300K）下的平衡空穴浓度为p0=2.25*1016 cm3， 已知室温下纯净单晶硅的禁带宽度Eg=1.12eV， 本征载流子浓度ni=1.5*1010 cm3，室温的kT 值为0.026eV。 1）计算该材料的平衡电子浓度n0； 2）判别该材料的导电类型； 3）计算该材料的费米能级位置EF。 点击查看答案

室温下，若两块Si样品中的电子浓度分别为2.25×1010cm-3和6.8×1016cm-3，试分别求出其中的空穴的浓度和费米能级的相对位置，并判断样品的导电类型。假如再在其中都掺入浓度为2.25×1016cm-3的受主杂质，这两块样品的导电类型又将怎样？ 点击查看答案