计算题

现有一掺杂半导体硅材料，已测得室温（300K）下的平衡空穴浓度为p₀=2.25*10¹⁶/cm³， 已知室温下纯净单晶硅的禁带宽度E_g=1.12eV， 本征载流子浓度n_i=1.5*10¹⁰/cm³，室温的kT
值为0.026eV。
1）计算该材料的平衡电子浓度n₀；
2）判别该材料的导电类型；
3）计算该材料的费米能级位置E_F。

室温下，若两块Si样品中的电子浓度分别为2.25×1010cm-3和6.8×1016cm-3，试分别求出其中的空穴的浓度和费米能级的相对位置，并判断样品的导电类型。假如再在其中都掺入浓度为2.25×1016cm-3的受主杂质，这两块样品的导电类型又将怎样？ 点击查看答案

已知室温（300K）下硅的禁带宽度Eg≈1.12eV，价带顶空穴和导带底电子的有效质量之比mp mn≈0.55，导带的有效状态密度NC≈2.8*1019 cm3，kT≈0.026eV。试计算： 1）室温（300K）下，纯净单晶硅的本征费米能级Ei； 2）室温（300K）下，掺磷浓度为1018 cm3的n型单晶硅的费米能级EF。 点击查看答案