计算题

已知室温（300K）下硅的禁带宽度E_g≈1.12eV，价带顶空穴和导带底电子的有效质量之比m_p/m_n≈0.55，导带的有效状态密度N_C≈2.8*10¹⁹/cm³，k_T≈0.026eV。试计算：
1）室温（300K）下，纯净单晶硅的本征费米能级E_i；
2）室温（300K）下，掺磷浓度为10¹⁸/cm³的n型单晶硅的费米能级E_F。

已知晶格常数为a的一维晶格，其导带和价带极小值附近能 试求： 1）禁带宽度； 2）导带底电子有效质量； 3）价带顶电子有效质量。 点击查看答案

某半导体价带顶附近能量色散关系可表示为：E（k）=Emax-10-30k2（J），现将其中一波矢为 的电子移走，试求此电子留下的空穴的有效质量m*p，及速度vp（k）. 点击查看答案