计算题

某半导体价带顶附近能量色散关系可表示为：E（k）=E_max-10^-30k²（J），现将其中一波矢为
的电子移走，试求此电子留下的空穴的有效质量m^*_p，及速度v_p（k）.

已知室温（300K）下硅的禁带宽度Eg≈1.12eV，价带顶空穴和导带底电子的有效质量之比m*p m*n≈0.55，导带的有效状态密度NC≈2.8*1019 cm3，kT≈0.026eV。试计算： 1）室温（300K）下，纯净单晶硅的本征费米能级Ei； 2）室温（300K）下，掺磷浓度为1016 cm3的n型单晶硅的费米能级EF。 点击查看答案

室温下，p型半导体中的电子寿命为ι=350us，电子的迁移率un=3600cm-2 （V·s）。试求电子的扩散长度。 点击查看答案