计算题 室温下，p型半导体中的电子寿命为ι=350us，电子的迁移率u_n=3600cm^-2/（V·s）。试求电子的扩散长度。

500g的Si单晶，掺有4.5*10-5g的B，设杂质全部电离，试求该材料的电阻率μp=500cm2 （V.S），硅单晶密度为2.33g cm3，B原子量为10.8。 点击查看答案

0.1kg的Ge单晶，掺有3.2*10-9kg的Sb，设杂质全部电离，试求该材料的电阻率μn=0.38m2 （V.S），Ge的单晶密度为5.32g cm3，Sb原子量为121.8。 点击查看答案