计算题 0.1kg的Ge单晶，掺有3.2*10^-9kg的Sb，设杂质全部电离，试求该材料的电阻率μ_n=0.38m²/（V.S），Ge的单晶密度为5.32g/cm³，Sb原子量为121.8。

掺有浓度为每立方米为1022硼原子的硅材料，请计算300K。 点击查看答案

计算含有施主杂质浓度为ND=9*1015cm-3，及受主杂质浓度为1.1*1016cm3的硅在300K时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。 点击查看答案