问答题
计算题 计算含有施主杂质浓度为N
D
=9*10
15
cm
-3
,及受主杂质浓度为1.1*10
16
cm
3
的硅在300K时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。
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试题
问答题
试分别说明: 1)在一定的温度下,对本征材料而言,材料的禁带宽度越窄,载流子浓度越高; 2)对一定的材料,当掺杂浓度一定时,温度越高,载流子浓度越高。
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问答题
计算本征硅在室温时的电阻率。设电子迁移率和空穴迁移率分别为1350cm2 v˙s,和500cm2 v˙s。当掺入百万分之一的砷后,设杂质全部电离,计算其电导率比本征硅的电导率增大多少倍?ni=1.5×1013 cm3。
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