计算题 计算含有施主杂质浓度为N_D=9*10¹⁵cm^-3，及受主杂质浓度为1.1*10¹⁶cm³的硅在300K时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。

试分别说明： 1）在一定的温度下，对本征材料而言，材料的禁带宽度越窄，载流子浓度越高； 2）对一定的材料，当掺杂浓度一定时，温度越高，载流子浓度越高。 点击查看答案

计算本征硅在室温时的电阻率。设电子迁移率和空穴迁移率分别为1350cm2 v˙s，和500cm2 v˙s。当掺入百万分之一的砷后，设杂质全部电离，计算其电导率比本征硅的电导率增大多少倍？ni=1.5×1013 cm3。 点击查看答案