问答题
计算题 计算本征硅在室温时的电阻率。设电子迁移率和空穴迁移率分别为1350cm
2
/v˙s,和500cm
2
/v˙s。当掺入百万分之一的砷后,设杂质全部电离,计算其电导率比本征硅的电导率增大多少倍?n
i
=1.5×10
13
/cm
3
。
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试题
问答题
已知本征锗的电导率在310K时为3.56×10-2S cm,在273K时为0.42×10-2S cm,一个n型锗样品,在上述两个温度时,其施主杂质浓度ND=1015 cm3。计算在上述两个温度n型锗样品的电导率。μn=3600cm2 v˙s,μp=1700cm2 v˙s。
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问答题
在掺入硼的非简并p型硅样品中含有一定浓度的铟,在室温下电阻率为2.84Ω˙cm,已知所掺硼的浓度Na1=101610 cm3,硼的电离能Ea1-Ev=0.045eV,铟的电离能Ea2-Ev=0.16eV,求样品中铟的浓度。Nv=1.04×1019 cm3,μp=200cm2 v˙s。
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