计算题 计算本征硅在室温时的电阻率。设电子迁移率和空穴迁移率分别为1350cm²/v˙s，和500cm²/v˙s。当掺入百万分之一的砷后，设杂质全部电离，计算其电导率比本征硅的电导率增大多少倍？n_i=1.5×10¹³/cm³。

已知本征锗的电导率在310K时为3.56×10-2S cm，在273K时为0.42×10-2S cm，一个n型锗样品，在上述两个温度时，其施主杂质浓度ND=1015 cm3。计算在上述两个温度n型锗样品的电导率。μn=3600cm2 v˙s，μp=1700cm2 v˙s。 点击查看答案

在掺入硼的非简并p型硅样品中含有一定浓度的铟，在室温下电阻率为2.84Ω˙cm，已知所掺硼的浓度Na1=101610 cm3，硼的电离能Ea1-Ev=0.045eV，铟的电离能Ea2-Ev=0.16eV，求样品中铟的浓度。Nv=1.04×1019 cm3，μp=200cm2 v˙s。 点击查看答案