计算题 在掺入硼的非简并p型硅样品中含有一定浓度的铟，在室温下电阻率为2.84Ω˙cm，已知所掺硼的浓度N_a1=10¹⁶10/cm³，硼的电离能E_a1-Ev=0.045eV，铟的电离能E_a2-Ev=0.16eV，求样品中铟的浓度。Nv=1.04×10¹⁹/cm³，μ_p=200cm²/v˙s。

在室温下，高纯锗的电子迁移率μn=3900cm2 v˙s，设电子的有效质量为mn=3×10-29g，求： （1）热运动速度平均值  （2）平均自由时间 （3）平均自由路程  （4）在外加电场为10 Vcm时的漂移速度 点击查看答案

准经典近似下，金属中电子漂移速度为。设ε=ε0eiωt，求在频率ω下的金属电导率。 点击查看答案