计算题

准经典近似下，金属中电子漂移速度为。设ε=ε₀e^iωt，求在频率ω下的金属电导率。

（1）试证明在室温下，当半导体的电子浓度时，其电导率为最小值，求在上述条件下的空穴浓度。 （2）当ni=2.5×1013 cm3，μp=1900cm2 v˙s，μn=3800cm2 v˙s，求其本征电导率和电波电导率。 （3）当n0和p0为何值时，电导率等于本征电导率。 点击查看答案

室温下本征锗的电阻率为47Ω˙cm，求本征载流子浓度。若掺入锑杂质，使每106个锗原子中有一个杂质原子，计算室温下电子浓度和空穴尝试，设杂质全部电离，锗原子的浓度为4.4×1022 cm3，求该掺杂锗材料的电阻率，μn=3600cm2 v˙s，μp=1700cm2 v˙s，ni=2.5×1013 cm3。 点击查看答案