计算题 室温下本征锗的电阻率为47Ω˙cm，求本征载流子浓度。若掺入锑杂质，使每10⁶个锗原子中有一个杂质原子，计算室温下电子浓度和空穴尝试，设杂质全部电离，锗原子的浓度为4.4×10²²/cm³，求该掺杂锗材料的电阻率，μ_n=3600cm²/v˙s，μ_p=1700cm²/v˙s，n_i=2.5×10¹³/cm³。

现有三个半导体硅样品，已知室温下（300K）它们的空穴浓度分别为p01=2.25×1015 cm3，p02=1.5×1010 cm3，p03=2.25×104 cm3 （1）分别计算这三个样品的电子浓度 （2）判别这三个样品的导电类型  （3）计算这三个样品的费米能级的位置 点击查看答案

有一半导体硅样品，施主浓度为ND=2×1014 cm3，受主浓度为NA=1×1014 cm3，已知施主电离能为ΔE0=0.05eV，试求：99%的施主杂质电离时的温度。 点击查看答案