计算题 有一半导体硅样品，施主浓度为N_D=2×10¹⁴/cm³，受主浓度为N_A=1×10¹⁴/cm³，已知施主电离能为ΔE₀=0.05eV，试求：99%的施主杂质电离时的温度。

一块有杂质补偿的硅材料，已知掺入受主密度NA=1×1015cm2，室温下测其费米能级，恰好与施主能级重合，并得知平衡电子密度为n0=5×1015cm3，已知室温下硅的本征载流子密度为n=1.5×1015cm3，试求： （1）平衡少子的密度  （2）材料中施主杂质的密度 （3）电离杂质和中性杂质的密度 点击查看答案

两块n型硅材料，在温度T时，第一块与第二块的电子密度之比为n1 n2=e。 （1）如果第一块材料的费米能级在导带之下3k0T，求第二块材料的费米能级的位置。 （2）两块材料中空穴密度之比。 点击查看答案