计算题

一块有杂质补偿的硅材料，已知掺入受主密度N_A=1×10¹⁵cm²，室温下测其费米能级，恰好与施主能级重合，并得知平衡电子密度为n₀=5×10¹⁵cm³，已知室温下硅的本征载流子密度为n=1.5×10¹⁵cm³，试求：
（1）平衡少子的密度 
（2）材料中施主杂质的密度
（3）电离杂质和中性杂质的密度

两块n型硅材料，在温度T时，第一块与第二块的电子密度之比为n1 n2=e。 （1）如果第一块材料的费米能级在导带之下3k0T，求第二块材料的费米能级的位置。 （2）两块材料中空穴密度之比。 点击查看答案

若费米能级为5eV，求出在什么温度下电子占据能量为5.5eV能级的几率为1%，并计算在该温度下电子分布几率从0.9~0.1所对应的区间。 点击查看答案