计算题

两块n型硅材料，在温度T时，第一块与第二块的电子密度之比为n₁/n₂=e。
（1）如果第一块材料的费米能级在导带之下3k₀T，求第二块材料的费米能级的位置。
（2）两块材料中空穴密度之比。

若费米能级为5eV，求出在什么温度下电子占据能量为5.5eV能级的几率为1%，并计算在该温度下电子分布几率从0.9~0.1所对应的区间。 点击查看答案

在半导体中，V族杂质原子外层第五个电子的运动，可以看成是围绕一个正核电荷的圆形轨道上运动，并穿过具有体介电常数的材料。证明，如果介电常数为11.7，则能量为大约0.1eV的电子，就能在晶体中自由运动。材料晶格常数为5.42A。 点击查看答案