计算题

在室温下，高纯锗的电子迁移率μ_n=3900cm²/v˙s，设电子的有效质量为m_n=3×10^-29g，求：
（1）热运动速度平均值 
（2）平均自由时间
（3）平均自由路程 
（4）在外加电场为10/Vcm时的漂移速度

准经典近似下，金属中电子漂移速度为。设ε=ε0eiωt，求在频率ω下的金属电导率。 点击查看答案

（1）试证明在室温下，当半导体的电子浓度时，其电导率为最小值，求在上述条件下的空穴浓度。 （2）当ni=2.5×1013 cm3，μp=1900cm2 v˙s，μn=3800cm2 v˙s，求其本征电导率和电波电导率。 （3）当n0和p0为何值时，电导率等于本征电导率。 点击查看答案