单项选择题

‎基于LSS理论,离子注入受到靶原子核与电子的阻止,()。

A.核阻止和电子阻止是独立的
B.核阻止本领>电子阻止本领
C.核阻止本领< 电子阻止本领
D.核阻止和电子阻止与入射离子能量无关

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单项选择题
‎CVD可分为低温工艺、中温工艺、高温工艺,不同温度制备的同种薄膜(如SiO2)的密度()

A.温度升高,略有下降
B.与温度无关
C.温度升高,略有增加
D.都相同

单项选择题
看图判断下列描述是否正确?()

A.是有限源扩散,杂质浓度分布是高斯函数
B.是有限源扩散,杂质浓度分布是余误差函数
C.是恒定源扩散,杂质浓度分布是余误差函数
D.是恒定源扩散,杂质浓度分布是高斯函数

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