集成电路制造工艺中，以下对氧化速率没有影响的因素是（）。‌

集成电路制造工艺中，以下不是热氧化方法的是（）。​

A.干氧氧化
B.湿氧氧化
C.离子氧化
D.水蒸汽氧化

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集成电路制造工艺中，二氧化硅膜不能用于（）。​

A.元器件的组成部分（如栅氧化层）
B.源漏极
C.互连层间绝缘介质
D.作为掩蔽膜

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