单项选择题

集成电路制造工艺中,二氧化硅膜不能用于()。​

A.元器件的组成部分(如栅氧化层)
B.源漏极
C.互连层间绝缘介质
D.作为掩蔽膜

<上一题 目录 下一题>
热门 试题

单项选择题
以下对集成电路版图设计中几何设计规则描述不正确的是()。​

A.几何设计规则是版图图形编辑的依据
B.几何设计规则是设计系统生成版图的依据
C.几何设计规则是分析计算的依据
D.几何设计规则是检查版图错误的依据

单项选择题
以下不是影响刻蚀质量的主要因素是()。‎‎​‎

A.粘附性
B.刻蚀温度
C.刻蚀时间
D.刻蚀槽的高度

相关试题
  • 按照芯片组装方式的不同,关于SiP的分类,...
  • 关于电子封装基片的性质,说法错误的是()。
  • 下列关于BGA球栅阵列的优缺点,说法正确的...
  • 下列属于BGAA形式的是()。
  • 下面关于BGA的特点,说法错误的是()。