单项选择题
在硅片晶向、掺杂类型介绍中,由硅片断裂边形成的角度是60º可知硅片是什么晶向?()
A.(100)
B.(111)
C.(110)
D.(211)
点击查看答案&解析
<上一题
目录
下一题>
热门
试题
填空题
在硅表面LPCVD-Si3N4之前,都会先热生长薄氧化层,它被称为()层。
点击查看答案
填空题
铝膜作为器件的内电极,有抗电迁移性()的特点。
点击查看答案
相关试题
碳纳米管场效应晶体管是未来晶体管发展趋势...
CE定律发展面临的问题包括()。
IC集成度和性能得以不断提高的理论基础是(...
三光检查主要是检查芯片粘贴和引线焊接之后...
芯片粘接的工艺过程包括()。