多项选择题

‌关于氧化速率下面哪种描述是正确的？（）

A.有杂质（如Na、P等）存在，氧化速率降低
B.生长十几nm厚的栅氧化层时，服从线性氧化速率
C.温度升高氧化速率迅速增加
D.（111）硅比（100）硅氧化得快

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热门试题

单项选择题

A.（100）
B.（111）
C.（110）
D.（211）

填空题

在硅表面LPCVD-Si3N4之前，都会先热生长薄氧化层，它被称为（）层。