案例分析题用强光照射n型样品，假定光被均匀地吸收，产生过剩载流子，产生率为，空穴寿命为τ。 写出光照下过剩载流子所满足的方程

在一个n型半导体样品中，过剩空穴浓度为1013cm-3， 空穴的寿命为100us。计算空穴的复合率。已知： 求：U=？ 点击查看答案

在忽略界面态影响的情况下，可用什么实验方法测量MIS结构的绝缘层中的可动电荷，说明实验步骤和计算依据。 点击查看答案