计算题

在一个n型半导体样品中，过剩空穴浓度为10¹³cm^-3， 空穴的寿命为100us。计算空穴的复合率。已知：

求：U=？

在忽略界面态影响的情况下，可用什么实验方法测量MIS结构的绝缘层中的可动电荷，说明实验步骤和计算依据。 点击查看答案

若费米能级EF=5eV，利用费米函数计算在什么温度下电子占据E=5.5eV能级的几率为1%？计算在该温度下电子分布几率从0.1～0.9所对应的能量区间。 点击查看答案