问答题
案例分析题用强光照射n型样品,假定光被均匀地吸收,产生过剩载流子,产生率为,空穴寿命为τ。 求出光照下达到稳定状态时的过载流子浓度。
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问答题
写出光照下过剩载流子所满足的方程
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在一个n型半导体样品中,过剩空穴浓度为1013cm-3, 空穴的寿命为100us。计算空穴的复合率。已知: 求:U=?
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