多项选择题

CVD制备SiO₂的方法有（）。

A.中温LPCVD
B.低温APCVD
C.低温PECVD
D.低温LPCVD

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热门试题

多项选择题

金属W（钨）的用途有（）。

A.局部互连
B.全局互连
C.钨插塞
D.栅极

多项选择题

下列属于多晶硅薄膜的特性有（）。

A.扩散系数明显高于单晶硅
B.晶粒尺寸大的薄膜电阻率小
C.晶向唯一
D.电阻率远高于单晶硅

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