计算题 在电阻率为1Ω∙cm的p型硅半导体区域中，掺金浓度N_t=10¹⁵cm^-3，由边界稳定注入的电子浓度（∆n）₀=10¹⁰cm^-3，试求边界处电子扩散电流。

设空穴浓度是线性分布，在3us内浓度差为1015cm-3，up=400cm2 （Vs）。试计算空穴扩散电流密度。 点击查看答案

室温下，p型半导体中的电子寿命为τ=350us，电子的迁移率un=3600cm-2 （Vs）。试求电子的扩散长度。 点击查看答案