计算题 一块电阻率为3Ω∙cm的n型硅样品，空穴寿命τ_p=5us，在其平面形的表面处有稳定的空穴注入，过剩浓度（∆p）=10¹³cm^-3。计算从这个表面扩散进入半导体内部的空穴电流密度，以及在离表面多远处过剩空穴浓度等于10¹²cm^-3？

在电阻率为1Ωcm的p型硅半导体区域中，掺金浓度Nt=1015cm-3，由边界稳定注入的电子浓度（n）0=1010cm-3，试求边界处电子扩散电流。 点击查看答案

设空穴浓度是线性分布，在3us内浓度差为1015cm-3，up=400cm2 （Vs）。试计算空穴扩散电流密度。 点击查看答案