问答题

案例分析题

光照1Ω∙cm的n型硅样品,均匀产生非平衡载流子,电子-空穴对产生率为1017cm-3∙s-1。设样品的寿命为10us,表面符合速度为100cm/s。试计算:

单位时间单位表面积在表面复合的空穴数。

【参考答案】

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问答题
一块电阻率为3Ωcm的n型硅样品,空穴寿命τp=5us,在其平面形的表面处有稳定的空穴注入,过剩浓度(p)=1013cm-3。计算从这个表面扩散进入半导体内部的空穴电流密度,以及在离表面多远处过剩空穴浓度等于1012cm-3?
问答题
在电阻率为1Ωcm的p型硅半导体区域中,掺金浓度Nt=1015cm-3,由边界稳定注入的电子浓度(n)0=1010cm-3,试求边界处电子扩散电流。
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