计算题 室温下，p型半导体中的电子寿命为τ=350us，电子的迁移率u_n=3600cm^-2/（V∙s）。试求电子的扩散长度。

在掺杂浓度ND=1016cm-3，少数载流子寿命为10us的n型硅中，如果由于外界作用，少数载流子全部被清除，那么在这种情况下，电子-空穴对的产生率是多大？（Et=Ei）。 点击查看答案

在n=p的半导体区域，这里n>>ni0 点击查看答案