计算题 在掺杂浓度N^D=10¹⁶cm^-3，少数载流子寿命为10us的n型硅中，如果由于外界作用，少数载流子全部被清除，那么在这种情况下，电子-空穴对的产生率是多大？（E_t=E_i）。

在n=p的半导体区域，这里n>>ni0 点击查看答案

在只有少数载流子别耗尽（例如，pnn0，而nn=nn0）的半导体区域。 点击查看答案