计算题 室温下锗的本征电阻率为47Ω·cm，如果电子和空穴的迁移率分别为3900cm²/V·S和1900cm²/V·S，试求本征锗的载流子浓度。

计算施主掺杂浓度ND=9×1015cm-3及受主掺杂浓度NA=1.1×1016cm-3的硅在室温下的电子浓度和空穴浓度以及费米能级的位置。 点击查看答案

计算施主浓度分别为1016、1018、1019cm-3的硅在300K时的费米能级（以本征费米能级作为参考能级），对掺杂浓度相同的受主杂质进行同样的计算。 点击查看答案