问答题
计算题
473K时硅的
求本征硅的电阻率ρ
i
。
【参考答案】
点击查看答案
<上一题
目录
下一题>
热门
试题
问答题
掺硼1.1×1016cm-3和磷9×1015cm-3的硅样品,计算室温下多子浓度和少子浓度。如果电子迁移率μn=1000cm2 v·s,空穴迁移率μp=360cm2 v·s,求电阻率。
点击查看答案
问答题
设电子和空穴的迁移率分别为1350cm2 V·S和500cm2 V·S,试计算本征硅在300K下的电导率。当掺入百万分之一的砷后,设杂质全部电离,计算其电导率,并将其与本征硅的电导率进行比较。
点击查看答案
相关试题
碳纳米管场效应晶体管是未来晶体管发展趋势...
CE定律发展面临的问题包括()。
IC集成度和性能得以不断提高的理论基础是(...
三光检查主要是检查芯片粘贴和引线焊接之后...
芯片粘接的工艺过程包括()。