多项选择题

‌Si3N4薄膜的特性有（）。

A.针孔少
B.对底层金属可保形覆盖
C.介电常数较大
D.扩散掩蔽能力强

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多项选择题
​Si3N4薄膜的用途有（）。

A.浅槽隔离的CMP停止层
B.最终钝化膜和机械保护膜
C.MOSFETs中的侧墙
D.选择性氧化的掩蔽膜
多项选择题
实现CVD工艺保形覆盖的关键因素有（）。

A.表面迁移
B.直接入射
C.再发射
D.到达角
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