多项选择题

实现CVD工艺保形覆盖的关键因素有（）。

A.表面迁移
B.直接入射
C.再发射
D.到达角

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多项选择题
CVD制备SiO2的方法有（）。

A.中温LPCVD
B.低温APCVD
C.低温PECVD
D.低温LPCVD
多项选择题
金属W（钨）的用途有（）。

A.局部互连
B.全局互连
C.钨插塞
D.栅极
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