单项选择题

以下晶体对结晶潜热的相关描述不正确的是（）

A.结晶过程伴随着结晶潜热的释放
B.放出的结晶潜热小于散发到周围环境中去的热量时，结晶过程继续进行
C.放出的结晶潜热等于散发到周围环境中去的热量时，结晶过程停止
D.放出的结晶潜热持续大于散发掉的热量时，结晶过程可能会停止

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单项选择题
晶体用腐蚀液腐蚀，硅单晶各晶面腐蚀速率排序正确的是（）

A.（100）晶面< （110）晶面< （111）晶面
B.（100）晶面=（110）晶面=（111）晶面
C.（100）晶面>（110）晶面>（111）晶面
D.（100）晶面≈（110）晶面≈（111）晶面
单项选择题
晶体生长时，对于硅单晶的各晶面法向生长速度排序正确的是（）

A.（100）晶面< （110）晶面< （111）晶面
B.（100）晶面=（110）晶面=（111）晶面
C.（100）晶面>（110）晶面>（111）晶面
D.（100）晶面≈（110）晶面≈（111）晶面
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