单项选择题

晶体用腐蚀液腐蚀，硅单晶各晶面腐蚀速率排序正确的是（）

A.（100）晶面< （110）晶面< （111）晶面
B.（100）晶面=（110）晶面=（111）晶面
C.（100）晶面>（110）晶面>（111）晶面
D.（100）晶面≈（110）晶面≈（111）晶面

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热门 试题

单项选择题
晶体生长时，对于硅单晶的各晶面法向生长速度排序正确的是（）

A.（100）晶面< （110）晶面< （111）晶面
B.（100）晶面=（110）晶面=（111）晶面
C.（100）晶面>（110）晶面>（111）晶面
D.（100）晶面≈（110）晶面≈（111）晶面
单项选择题
晶格结构中（110）晶面的面间距计算正确的是（）

A.1.36
B.1.92
C.2.35
D.0.78
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