离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。

离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。

A.能量
B.剂量

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硅外延片的应用包括（）。

A.二极管和三极管
B.电力电子器件
C.大规模集成电路
D.超大规模集成电路

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