单项选择题
离子注入层的深度主要取决于离子注入的()。
A.能量
B.剂量
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多项选择题
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A.二极管和三极管
B.电力电子器件
C.大规模集成电路
D.超大规模集成电路
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多项选择题
硅外延生长工艺包括()。
A.衬底制备
B.原位HCl腐蚀
C.生长温度,生长压力,生长速度
D.尾气的处理
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