多项选择题

对于CMOS晶体管，要得到良好受控的阈值电压，需要控制（）等工艺参数。

A.氧化层厚度；
B.沟道中掺杂浓度；
C.金属半导体功函数；
D.氧化层电荷。

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热门试题

单项选择题

离子注入过程是一个非平衡过程，高能离子进入靶后不断与原子核及其核外电子碰撞，逐步损失能量，最后停下来。停下来的位置是随机的，大部分不在晶格上，因而没有（）。

A. 电活性
B. 晶格损伤
C. 横向效应
D. 沟道效应

单项选择题

杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是间隙式扩散机制和替代式扩散机制。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。

A. 激活杂质后
B. 一种物质在另一种物质中的运动
C. 预淀积
D. 高温多步退火

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