判断题
离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度,因而在几乎所有应用中都优于扩散。
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判断题
热扩散中的横向扩散通常是纵向结深的75%~85%。先进的MOS电路不希望发生横向扩散,因为它会导致沟道长度的减小,影响器件的集成度和性能。
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判断题
在各向同性刻蚀时,薄膜的厚度应该大致大于或等于所要求分辨率的三分之一。如果图形所要求的分辨率远小于薄膜厚度,则必须采用各向异性刻蚀。
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