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简答题 为什么绝大多数的集成电路都采用了Si半导体?
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最初只知道一个特殊的硅器件掺杂是用离子注入方法制备的,后经过测量得知: 表面杂质浓度为4×1013cm-3,峰值在1800Å深处,峰值浓度为5×1017cm-3。假定离子注入服从对称高斯分布,你能估计出它的注入剂量是多少吗?
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假设某项化学气相淀积工艺受反应速率控制,在700 ℃和800 ℃时的淀积速率分别为500Å min和2000Å min,请计算在900℃下的淀积速率是多少?实际测量发现900℃下淀积速率远低于计算值,说明什么?怎样证明?(化学气相淀积的反应速率常数)
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