在已扩散结深达0.8μm的p-Si上再进行湿氧，氧化层厚0.2μm时，结深是多少（）

离子注入硼无需退火就有电活性，所以才会出现随退火温度升高反而电激活率下降的逆退火现象。 点击查看答案&解析

关于离子注入区形成非晶层的临界剂量，下面哪几种说法正确（）

A.靶温升高，临界剂量上升
B.注入离子越轻，临界剂量越小
C.注入离子剂量率增大，临界剂量降低
D.注入离子能量越高，临界剂量越低

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