单项选择题

用金锑合金共晶粘片时,采用的温度为()

A.350℃~360℃
B.380℃~410℃
C.410℃~440℃
D.420℃~450℃

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热门 试题

单项选择题
半导体的光照被消除的情况下,其中的载流子()

A.产生>复合
B.产生<复合
C.产生=复合
D.产生率=复合率=0

单项选择题
大功率芯片烧结工艺中,保护气体最好采用()

A.H2
B.N2
C.He
D.H2和N2混合气体

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