计算题 硅P－N结的N区施主浓度为1×10¹⁵cm^-3，τ_h=1μs；P区受主浓度为6×10¹⁷cm^-3，τ_e=5μs；D_h=1.3×10^-3m²/s，D_e=3.5×10^-3m²/s，试计算室温下空穴电流与电子电流之比j_h/j_e，饱和电流密度j₀以及在正向偏压0.3V时，流过P－N结的电流密度j。

已知施主浓度为1×1018cm－3，受主浓度为5×1016cm－3，试分别求出锗、硅材料在室温下的接触电势差。 点击查看答案

设空穴的浓度呈线性分布，在3μm内浓度差为1×1015cm－3，迁移率为400cm2 （V·s），试计算室温下的空穴扩散电流密度jh。 点击查看答案