简答题

论证或举例说明下列断言的对或错。

硅P－N结的N区施主浓度为1×1015cm-3，τh=1μs；P区受主浓度为6×1017cm-3，τe=5μs；Dh=1.3×10-3m2 s，De=3.5×10-3m2 s，试计算室温下空穴电流与电子电流之比jh je，饱和电流密度j0以及在正向偏压0.3V时，流过P－N结的电流密度j。 点击查看答案

已知施主浓度为1×1018cm－3，受主浓度为5×1016cm－3，试分别求出锗、硅材料在室温下的接触电势差。 点击查看答案