计算题 已知施主浓度为1×10¹⁸cm^－3，受主浓度为5×10¹⁶cm^－3，试分别求出锗、硅材料在室温下的接触电势差。

设空穴的浓度呈线性分布，在3μm内浓度差为1×1015cm－3，迁移率为400cm2 （V·s），试计算室温下的空穴扩散电流密度jh。 点击查看答案

在某一N型半导体电子浓度为1×1015cm－3，电子迁移率为1000cm2 （V·s），求其电阻率。 点击查看答案